Barra colectora compuesta de entrada de CC del inversor
Posicionamiento del producto:
La barra colectora compuesta de entrada de CC del inversor HTD es un componente conductor compuesto central dentro del sistema de propulsión eléctrica de vehículos de nueva energía, responsable de conectar el condensador de soporte y el módulo IGBT. Emplea una estructura compuesta de cobre y aluminio (con una proporción de volumen de capa de cobre del 20% al 30%) para construir un enlace de CC de baja inductancia dentro del controlador del motor. Combina una alta capacidad de transporte de corriente con excelentes características de blindaje electromagnético. Al utilizar tecnología de barra colectora compuesta multicapa para integrar múltiples circuitos, reduce la inductancia parásita a ≤10 nH, cumpliendo con los requisitos de las aplicaciones de alta frecuencia de SiC/GaN. Es un componente clave para mejorar la densidad de potencia y la eficiencia de conmutación de la unidad de control electrónico.
Parámetros clave de rendimiento de la barra colectora de cobre a aluminio :
| Category |
Specific Parameters |
Test Standard |
| Composite Material Structure |
Copper layer volume ratio: 20%-30% (adjustable); Density: 3.5-4.2 g/cm³ |
Enterprise Standard / ICP-AES |
| Electrical Performance |
DC Resistivity: ≤ 0.026 Ω·mm²/m; Parasitic Inductance: ≤10 nH @1MHz |
GB/T 5585.1 |
Rated Current
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Continuous Current: 200A–600A (section optimized); Temperature Rise: ≤ 35K (@25°C ambient)
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Thermal Simulation Validation
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| Insulation Strength |
Inter-layer Withstand Voltage: ≥ 3000V AC (60s); Insulation Resistance: ≥ 100 MΩ |
ISO 20653 |
| Mechanical Properties |
Tensile Strength: ≥ 100 MPa; Vibration Stability (10-2000Hz): ≥ 20g |
ASTM E8 / IEC 60068-2-6 |
Thermal Management Performance
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Thermal Conductivity: ≥ 2.5 W/m·K; Thermal Cycle Life (-40°C~125°C): >2000 cycles |
IEC 60068-2-14
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Connection Characteristics
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Contact Resistance: ≤ 5 μΩ; Bolt Torque Retention Rate (post-vibration): ≥ 90% |
IEC 60947
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Procesos centrales y flujo de trabajo de fabricación:
Diseño de topología de baja inductancia
- Optimización del campo electromagnético: optimiza la estructura laminada de las barras colectoras de cobre positivas y negativas mediante simulación de campo electromagnético 3D, reduciendo el área del bucle en un 60 % y disminuyendo significativamente la inductancia parásita.
- Diseño de integración de capacitores: Se integran ranuras prediseñadas para capacitores de sobretensión, lo que permite que las clavijas del capacitor se incrusten directamente dentro de la barra colectora, acortando la ruta de corriente a ≤15 mm.
Proceso compuesto de precisión - Unión por rollo de estructura multicapa: Adopta una estructura compuesta simétrica de cobre-aluminio-cobre. La unión por laminado en caliente logra una resistencia de unión interfacial ≥40 MPa, lo que garantiza que no haya riesgo de delaminación en condiciones de alta frecuencia y alta corriente.
- Revestimiento selectivo: se crean estructuras de microranuras grabadas con láser en las áreas de conexión del IGBT, seguido de galvanoplastia con una capa de plata de 5-8 μm, lo que reduce la resistencia de contacto en un 30 %.
Tecnología de integración de aislamiento
- Arquitectura de aislamiento multicapa: utiliza una película compuesta de PET+PI como dieléctrico de aislamiento entre capas (espesor de 0,2 mm), con una clase de resistencia a la temperatura de grado H (180 °C).
- Conducción térmica y aislamiento integrados: la capa de aislamiento está rellena con partículas cerámicas de nitruro de boro, lo que logra una resistencia de aislamiento ≥3000 V CA al tiempo que mejora la conductividad térmica axial a 2,5 W/m·K.
Barra colectora de batería automotriz Pasos del flujo del proceso (versión optimizada)
| Step |
Core Process |
Key Technical Points |
Output Standard |
| 1 |
Material Composite |
Hot roll bonding of Cu-Al strips, online annealing |
Interface strength ≥40MPa |
| 2 |
Precision Etching |
UV laser engraving of circuit patterns |
Line width accuracy ±0.05mm |
| 3 |
Lamination Molding |
Vacuum hot pressing lamination, temp. control ±2°C |
Interlayer thickness deviation ≤5% |
| 4 |
Plating Treatment |
Selective sandblasting and silver plating |
Plating thickness 5-8μm |
| 5 |
Performance Testing |
Inductance/Resistance/Withstand Voltage tests |
Defect rate ≤0.01%
|
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