Barra colectora de interconexión del módulo HTD
Posicionamiento del producto:
La barra colectora de interconexión de módulos HTD es un componente conductor central responsable de la transmisión de alta corriente y el puente preciso entre módulos de batería adyacentes dentro de un paquete de baterías de energía. Utilizando una estructura compuesta de cobre T2 de alta pureza (≥99,95 %) o cobre-aluminio, logra conexiones eficientes en serie/paralelo entre módulos, lo que garantiza una transferencia de corriente de baja impedancia en espacios reducidos. Fabricado mediante procesos de integración de aislamiento y estampado de precisión, admite un funcionamiento estable entre -40 °C y 105 °C, con un aumento de temperatura ≤40 K a corriente nominal. Su diseño compacto aumenta la utilización del espacio del módulo en más de un 20 %, lo que lo convierte en un componente clave para mejorar la densidad de energía y la seguridad eléctrica del paquete de baterías.
Parámetros clave de rendimiento de la barra colectora de cobre :
| Category |
Specific Parameters |
Test Standard |
| Base Material |
T2 copper (default), copper-aluminum composite structure (optional) |
GB/T 5585.1 |
| Electrical Conductivity |
DC resistivity ≤0.025 Ω·mm²/m (copper), carries 80%-90% current of equivalent solid copper busbar. |
Enterprise Standard / Thermal Simulation |
Rated Current
|
Continuous current: 200A–3000A (section-optimized), peak current ≥1.5x rated value
|
IEC 60947
|
| Insulation Strength |
Insulation withstand voltage ≥3000V AC (60s), protection class IP67 |
ISO 20653 |
| Mechanical Strength |
Tensile strength ≥200 MPa (hard temper), vibration stability ≥20g (10-2000Hz) |
IEC 60068-2-6 |
Thermal Management
|
Operating temperature: -40°C~105°C, short-term withstand 150°C |
IEC 60068-2-14
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Connection Reliability
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Contact resistance ≤5 μΩ, bolt torque retention rate ≥95% (post-vibration) |
Enterprise Standard
|
Procesos centrales y flujo de trabajo de fabricación:
Optimización de topología y diseño eléctrico
- Simulación electrotérmica: optimiza la forma de la sección transversal de la barra colectora y las rutas de cableado a través de la simulación de acoplamiento de circuito de campo 3D, lo que reduce la impedancia de CA y las pérdidas por corrientes parásitas y garantiza una desviación de corriente entre módulos paralelos ≤3%.
- Diseño estructural compacto: Adopta diseños curvados en forma de Z/L para adaptarse al espacio de instalación del módulo, integrando ranuras de posicionamiento infalibles con una tolerancia de instalación de ±0,5 mm, lo que mejora la eficiencia del ensamblaje en un 30 %.
Tecnología de procesamiento de alta precisión - Estampado progresivo: utiliza troqueles de precisión de estaciones múltiples para completar el punzonado, el rebordeado y el doblado en una sola operación, con una tolerancia de ángulo agudo de ±0,1 mm y una altura de rebaba de ≤0,01 mm.
- Tratamiento de superficie: aplica revestimiento de plata (5-8 μm) o estañado (8-12 μm) en las áreas de conexión, y las áreas sin contacto retienen la superficie de cobre nativo para una conductividad óptima.
Integración de aislamiento y protección
- Arquitectura de aislamiento multicapa: utiliza películas compuestas de PET+PI o revestimientos epoxi-cerámicos (espesor 0,2-0,5 mm) para el aislamiento, soportando un voltaje ≥3000 V CA y ofreciendo una conductividad térmica ≥1,5 W/m·K.
- Diseño de amortiguador flexible: integra juntas de expansión en forma de Ω en los extremos de la conexión para compensar el desplazamiento de expansión térmica de ±2 mm de los módulos, evitando el agrietamiento inducido por la concentración de tensión.
Pasos del flujo del proceso de producción (versión optimizada)
| Step |
Core Process |
Key Technical Points |
Output Standard |
| 1 |
Material Preparation |
T2 copper strip cutting, online annealing |
Conductivity ≥100% IACS |
| 2 |
Precision Stamping |
Progressive die high-speed stamping, burr control |
Dimensional tolerance ±0.1mm |
| 3 |
Bending & Forming |
Servo-controlled bending, arc precision control |
Bend radius accuracy ±0.1mm |
| 4 |
Surface Treatment |
Selective silver/tin plating, micro-arc oxidation |
Plating thickness 5-12μm |
| 5 |
Insulation Treatment |
Electrostatic spraying of epoxy-ceramic coating |
Insulation withstand voltage ≥3000V AC
|
| 6 |
Comprehensive Testing
|
Loop resistance, partial discharge, vibration test
|
Defect rate ≤0.01% |
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