Disipador de calor del módulo de alimentación
Posicionamiento del producto:
La placa base del disipador de calor HTD IGBT sirve como componente central de disipación de calor y soporte estructural para módulos semiconductores de potencia, diseñados específicamente para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, como controladores de motores de vehículos de nueva energía e inversores fotovoltaicos. Utilizando materiales compuestos de aleación de aluminio/aleación de cobre de alta conductividad térmica y fabricado mediante estampado de precisión + tecnología de estructura compuesta multicapa, logra un equilibrio óptimo de resistencia térmica ultrabaja, alta resistencia estructural y coeficiente de expansión térmica combinado, cumpliendo con los estándares de grado automotriz AEC-Q101 e IATF 16949.
Parámetros clave de rendimiento del estampado :
| Category |
Specific Parameters |
Test Standard |
| Material Options |
High-thermal-conductivity aluminum alloy (e.g., 6xxx series), Copper-aluminum composite plate |
ASTM B209 / GB/T 31467 |
Thermal Conductivity
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Thermal conductivity ≥380 W/(m·K) (copper-based), CTE 6-8 ppm/K (matched to silicon chips)
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MIL-STD-883
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| Structural Strength |
Flexural strength ≥300 MPa, rigidity improved by 30% (bionic rib design) |
GB/T 31467.3 |
Insulation Withstand
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Withstand voltage ≥3.5 kV (optional ceramic insulation layer)
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IEC 60112
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| Sealing Rating |
IP67 (dust and water immersion protection) |
ISO 20653 |
| Corrosion Resistance |
Neutral salt spray test ≥1000 hours (Plating + Electrophoresis + Powder coating) |
GB/T 10125 |
| Weight Reduction Rate |
25%-35% lighter than traditional welded protection plates (aluminum version) |
Real-vehicle comparison |
Procesos centrales y flujo de trabajo de fabricación:
Estampado y soldadura fuerte de precisión
- Tecnología de molde: Emplea troqueles progresivos de estaciones múltiples (estirado, recorte, perforación, bridado) para la formación en un solo golpe de estructuras complejas de disipación de calor, optimizadas con simulación CAE para evitar la concentración de tensiones y microfisuras.
- Equipo de estampado: utiliza prensas de rango completo de 25T-2000T, que admiten el procesamiento de espacios en blanco laminados a medida para un engrosamiento localizado en áreas clave, como las zonas de montaje de chips.
- Control de precisión: Tolerancia dimensional ±0,1 mm, lo que garantiza un ajuste de alta precisión con la carcasa del módulo.
Tratamiento de superficies y anticorrosión
- Revestimiento protector multicapa: anodizado (20 μm) + revestimiento conductor + revestimiento aislante opcional (p. ej., cerámica) proporciona resistencia a la corrosión y rendimiento térmico/eléctrico mejorado.
- Interfaz térmica integrada: Se pueden integrar almohadillas térmicas opcionales o materiales de cambio de fase (PCM) para llenar los espacios entre los chips y la placa base, lo que reduce la resistencia térmica de la interfaz.
Diseño de optimización estructural
- Diseño de refuerzo biónico para mejorar la capacidad antivibración, con una frecuencia natural de no menos de 600 Hz.
- Diseño de interfaz modular, que admite una instalación y mantenimiento rápidos.
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